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Nanoscale selective plasma etching of ultrathin HfO2 layers for advanced complementary metal-oxide-semiconductor devices

Anguita, José; Benedicto Córdoba, Marcos; Álvaro, Raquel; Galiana Blanco, Beatriz; Tejedor Jorge, Paloma (20/10/2010)

Presentamos un proceso de grabado en seco fiable para la fabricación de nanoestructuras profundas en capas ultrafinas (16 nm) de HfO2 depositadas sobre substratos de GaAs.
Nanostructuring of ultra-thin HfO2 layers for high-k/III-V device application

Benedicto Córdoba, Marcos; Anguita, José; Álvaro, Raquel; Galiana Blanco, Beatriz; Molina Aldereguia, Jon; Tejedor Jorge, Paloma (22/03/2011)

Se presenta la nanoestructuración mediante litografía por haz de electrones (EBL) y el grabado por iones reactivos (RIE) con un plasma SF6/Ar+ de películas de HfO2 ultra-delgadas depositadas sobre sustratos de GaAs (001) ...