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    • Fabrication of HfO2 patterns by laser interference nanolithography and selective dry etching for III-V CMOS application 

      Benedicto Córdoba, Marcos; Galiana Blanco, Beatriz; Molina Aldereguia, Jon; Monaghan, S.; Hurley, P.K.; Cherkaoui, K.; Vázquez Burgos, Luís; Tejedor Jorge, Paloma (31/05/2011)
      Se describe la nanoestructuración de películas ultrafinas de HfO2 depositadas sobre sustratos de GaAs (001) por nanolitografía por interferencia láser de alta resolución de Lloyd. La transferencia del patrón a la película ...

    • Modified energetic and growth kinetics on H-terminated GaAs (110 

      Galiana Blanco, Beatriz; Benedicto Córdoba, Marcos; Diez Merino, Laura; Lorbek, S.; Hlawacek, G.; Teichert, C. (29/10/2013)
      La modificación, a través de hidrógeno atómico, de la energía de superficie de epicapas de GaAs (110) crecidas a altas temperaturas con haces moleculares de Ga y As4, ha sido investigado por fuerza de fricción microscopía (FFM).

    • Multi-technique characterization of MOVPE-grown GaAs on Si 

      Wong, C.S.; Bennet, N.S.; McNally, P.J.; Galiana Blanco, Beatriz; Tejedor Jorge, Paloma; Benedicto Córdoba, Marcos; Molina Aldereguia, Jon; Monaghan, S.; Hurley, P.K.; Cherkaoui, K. (08/10/2010)
      Este es un trabajo de caracterización mediante múltiples técnicas con el objeto investigar las propiedades de las capas de GaAs crecidas por MOVPE sobre sustratos de Si - (100) con un offset de 4 hacia <1 1 0> bajo ...

    • Nanoscale selective plasma etching of ultrathin HfO2 layers for advanced complementary metal-oxide-semiconductor devices 

      Anguita, José; Benedicto Córdoba, Marcos; Álvaro, Raquel; Galiana Blanco, Beatriz; Tejedor Jorge, Paloma (20/10/2010)
      Presentamos un proceso de grabado en seco fiable para la fabricación de nanoestructuras profundas en capas ultrafinas (16 nm) de HfO2 depositadas sobre substratos de GaAs.

    • Nanostructuring of ultra-thin HfO2 layers for high-k/III-V device application 

      Benedicto Córdoba, Marcos; Anguita, José; Álvaro, Raquel; Galiana Blanco, Beatriz; Molina Aldereguia, Jon; Tejedor Jorge, Paloma (22/03/2011)
      Se presenta la nanoestructuración mediante litografía por haz de electrones (EBL) y el grabado por iones reactivos (RIE) con un plasma SF6/Ar+ de películas de HfO2 ultra-delgadas depositadas sobre sustratos de GaAs (001) ...

    • Nucleation of SrTiO3 3D islands and nanorings on Si substrates 

      Tejedor Jorge, Paloma; Benedicto Córdoba, Marcos; Vázquez Burgos, Luís; Galiana Blanco, Beatriz (28/08/2014)
      La nucleación de SrTiO3 en islas y nanoanillos tridimensionales (3D) sobre sustratos de Si a través de un nuevo procedimiento de descomposición organometálico (MOD) se ha investigado en función de la temperatura y concentración ...

    • Póster divulgativo sobre el Laboratorio de MBE de semiconductors III-V 

      Benedicto Córdoba, Marcos; Galiana Blanco, Beatriz; Tejedor Jorge, Paloma (01/05/2009)

    • Step-step interactions on GaAs(110) nanopatterns 

      Galiana Blanco, Beatriz; Benedicto Córdoba, Marcos; Tejedor Jorge, Paloma (09/01/2013)
      Hemos estudiado específicamente las interacciones cerca del en equilibrio de facetasr y la etapa de agrupamiento cinética impulsada por la auto-organización espontánea o mediante la modificación de la cinética de crecimiento ...

    • Structural investigation of MOVPE-grown GaAs on Ge by x-ray techniques 

      Wong, C.S.; Bennet, N.S.; Galiana Blanco, Beatriz; Benedicto Córdoba, Marcos; Molina Aldereguia, Jon; McNally, P.J. (04/10/2012)
      En este trabajo investigamos las propiedades estructurales de las capas de GaAs crecidos por epitaxia en fase vapor de metal-orgánico en sustratos Ge (1 0 0) con un offset de 6 hacia 1 1 1 bajo diversas condiciones de ...

    • Thermal stability of HfO2-on-GaAs nanopatterns 

      Galiana Blanco, Beatriz; Benedicto Córdoba, Marcos; Vázquez Burgos, Luís; Molina Aldereguia, Jon; Tejedor Jorge, Paloma (26/04/2012)
      Hemos evaluado el efecto de recocido térmico en la morfología, la fase cristalina y la composición elemental de nanopatrones de dieléctricos de alta K HfO2-on-GaAs a 500-620C mediante el uso de microscopía de fuerza atómica ...