• Modified energetic and growth kinetics on H-terminated GaAs (110 

      Galiana Blanco, Beatriz; Benedicto Córdoba, Marcos; Diez Merino, Laura; Lorbek, S.; Hlawacek, G.; Teichert, C. (29/10/2013)
      La modificación, a través de hidrógeno atómico, de la energía de superficie de epicapas de GaAs (110) crecidas a altas temperaturas con haces moleculares de Ga y As4, ha sido investigado por fuerza de fricción microscopía (FFM).