Anguita, José
Benedicto Córdoba, Marcos
Álvaro, Raquel
Galiana Blanco, Beatriz
Tejedor Jorge, Paloma
2016-08-31T14:36:45Z
2016-08-31T14:36:45Z
20/10/2010
0021-4922
http://hdl.handle.net/11531/12061
Artículos en revistas
Presentamos un proceso de grabado en seco fiable para la fabricación de nanoestructuras profundas en capas ultrafinas (16 nm) de HfO2 depositadas sobre substratos de GaAs.
We present a reliable dry-etch process for patterning deep-submicron structures in utra-thin (16 nm) HfO2 layers deposited on GaAs substrates.
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en-GB
Revista: Japanese Journal of Applied Physics, Periodo: 12, Volumen: 49, Número: 49, Página inicial: 165041, Página final: 165043
Nanoscale selective plasma etching of ultrathin HfO2 layers for advanced complementary metal-oxide-semiconductor devices
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info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Revista comercial
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Nanotecnología, high-k, III-V, ICP-RIE, AFM, litografía, transistores
Nanotechnology, high-k, III-V, ICP-RIE, AFM, lithogaphy, transistors