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dc.contributor.authorAnguita, Josées-ES
dc.contributor.authorBenedicto Córdoba, Marcoses-ES
dc.contributor.authorÁlvaro, Raqueles-ES
dc.contributor.authorGaliana Blanco, Beatrizes-ES
dc.contributor.authorTejedor Jorge, Palomaes-ES
dc.date.accessioned2016-08-31T14:36:45Z
dc.date.available2016-08-31T14:36:45Z
dc.date.issued20/10/2010es_ES
dc.identifier.issn0021-4922es_ES
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11531/12061
dc.descriptionArtículos en revistases_ES
dc.description.abstractPresentamos un proceso de grabado en seco fiable para la fabricación de nanoestructuras profundas en capas ultrafinas (16 nm) de HfO2 depositadas sobre substratos de GaAs.es-ES
dc.description.abstractWe present a reliable dry-etch process for patterning deep-submicron structures in utra-thin (16 nm) HfO2 layers deposited on GaAs substrates.en-GB
dc.format.mimetypeapplication/pdfes_ES
dc.language.isoen-GBes_ES
dc.rightses_ES
dc.rights.uries_ES
dc.sourceRevista: Japanese Journal of Applied Physics, Periodo: 12, Volumen: 49, Número: 49, Página inicial: 165041, Página final: 165043es_ES
dc.titleNanoscale selective plasma etching of ultrathin HfO2 layers for advanced complementary metal-oxide-semiconductor deviceses_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees_ES
dc.description.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersiones_ES
dc.rights.holderRevista comerciales_ES
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccesses_ES
dc.keywordsNanotecnología, high-k, III-V, ICP-RIE, AFM, litografía, transistoreses-ES
dc.keywordsNanotechnology, high-k, III-V, ICP-RIE, AFM, lithogaphy, transistorsen-GB


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  • Artículos
    Artículos de revista, capítulos de libro y contribuciones en congresos publicadas.

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