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Nanostructuring of ultra-thin HfO2 layers for high-k/III-V device application

dc.contributor.authorBenedicto Córdoba, Marcoses-ES
dc.contributor.authorAnguita, Josées-ES
dc.contributor.authorÁlvaro, Raqueles-ES
dc.contributor.authorGaliana Blanco, Beatrizes-ES
dc.contributor.authorMolina Aldereguia, Jones-ES
dc.contributor.authorTejedor Jorge, Palomaes-ES
dc.date.accessioned2016-08-31T14:50:25Z
dc.date.available2016-08-31T14:50:25Z
dc.date.issued22/03/2011es_ES
dc.identifier.issn1533-4880es_ES
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11531/12062
dc.descriptionArtículos en revistases_ES
dc.description.abstractSe presenta la nanoestructuración mediante litografía por haz de electrones (EBL) y el grabado por iones reactivos (RIE) con un plasma SF6/Ar+ de películas de HfO2 ultra-delgadas depositadas sobre sustratos de GaAs (001) para su aplicación como óxido de puerta para transistores III-V.-metal-óxido-semiconductor de efecto de campo de última generación (MOSFET).es-ES
dc.description.abstractWe report on the nanopatterning by electron beam lithography (EBL) and reactive ion etching (RIE) in a SF6/Ar+ plasma of ultra-thin HfO2 films deposited on GaAs (001) substrates for gate oxide application in next generation III V metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs).en-GB
dc.format.mimetypeapplication/pdfes_ES
dc.language.isoen-GBes_ES
dc.rightses_ES
dc.rights.uries_ES
dc.sourceRevista: Journal of Nanoscience and Nanotechnology, Periodo: 12, Volumen: 11, Número: 11, Página inicial: 1, Página final: 5es_ES
dc.titleNanostructuring of ultra-thin HfO2 layers for high-k/III-V device applicationes_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees_ES
dc.description.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersiones_ES
dc.rights.holderRevista comerciales_ES
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccesses_ES
dc.keywordsNanotecnología, high-k, III-V, EBL, RIE, AFM, SEM, TEM, EDS, MOSFET, transistoreses-ES
dc.keywordsNanotechnology, high-k, III-V, EBL, RIE, AFM, SEM, TEM, EDS, MOSFET, transistorsen-GB


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Nombre:
Nanoestructuracion of ultr-thin ...
Tamaño:
457.5Kb
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