Galiana Blanco, Beatriz
Benedicto Córdoba, Marcos
Vázquez Burgos, Luís
Molina Aldereguia, Jon
Tejedor Jorge, Paloma
2016-08-31T15:16:49Z
2016-08-31T15:16:49Z
26/04/2012
2040-3364
http://hdl.handle.net/11531/12068
Artículos en revistas
Hemos evaluado el efecto de recocido térmico en la morfología, la fase cristalina y la composición elemental de nanopatrones de dieléctricos de alta K HfO2-on-GaAs a 500-620C mediante el uso de microscopía de fuerza atómica (AFM), de alta resolución microscopía electrónica de transmisión ( HRTEM) y espectroscopia de rayos X de energía dispersiva (EDS).
We have evaluated the effect of thermal annealing on the morphology, crystalline phase and elemental composition of high-k dielectric HfO2-on-GaAs nanopatterns at 500 620 C by using atomic force microscopy (AFM), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS).
application/pdf
en-GB
Revista: Nanoscale, Periodo: 12, Volumen: 4, Número: 4, Página inicial: 3734, Página final: 3738
Thermal stability of HfO2-on-GaAs nanopatterns
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Revista comercial
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Nanotecnología, high-k, III-V, HfO2, GaAs, patrones, recocido, AFM, TEM, EDS, transistor
Nanotechnology, high-k, III-V, HfO2, GaAs, patterns, annealing, AFM, TEM, EDS, transistor