Wong, C.S.
Bennet, N.S.
Galiana Blanco, Beatriz
Benedicto Córdoba, Marcos
Molina Aldereguia, Jon
McNally, P.J.
2016-08-31T15:28:23Z
2016-08-31T15:28:23Z
04/10/2012
0268-1242
http://hdl.handle.net/11531/12070
Artículos en revistas
En este trabajo investigamos las propiedades estructurales de las capas de GaAs crecidos por epitaxia en fase vapor de metal-orgánico en sustratos Ge (1 0 0) con un offset de 6 hacia 1 1 1 bajo diversas condiciones de crecimiento.
In this work, we investigate the structural properties of GaAs layers grown by metal-organic vapour phase epitaxy on Ge substrates (1 0 0) with 6◦ offset towards 1 1 1 under various growth conditions.
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Revista: Semiconductor Science and Technology, Periodo: 12, Volumen: 27, Número: 27, Página inicial: 1150121, Página final: 1150127
Structural investigation of MOVPE-grown GaAs on Ge by x-ray techniques
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Revista comercial
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Nanotecnología, GaAs, Ge, MOVPE, AFM, XRD, XRT sincrotron
Nanotechnology, GaAs, Ge, MOVPE, AFM, XRD, XRT synchrotron