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Step-step interactions on GaAs(110) nanopatterns

dc.contributor.authorGaliana Blanco, Beatrizes-ES
dc.contributor.authorBenedicto Córdoba, Marcoses-ES
dc.contributor.authorTejedor Jorge, Palomaes-ES
dc.date.accessioned2016-08-31T15:37:12Z
dc.date.available2016-08-31T15:37:12Z
dc.date.issued09/01/2013es_ES
dc.identifier.issn0021-8979es_ES
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11531/12073
dc.descriptionArtículos en revistases_ES
dc.description.abstractHemos estudiado específicamente las interacciones cerca del en equilibrio de facetasr y la etapa de agrupamiento cinética impulsada por la auto-organización espontánea o mediante la modificación de la cinética de crecimiento de GaAs por hidrógeno atómico.es-ES
dc.description.abstractWe have specifically studied the interactions in near-equilibrium faceting and kinetics-driven step bunching and meandering formed by spontaneous self-organization or through the modification of GaAs growth kinetics by atomic hydrogen.en-GB
dc.format.mimetypeapplication/pdfes_ES
dc.language.isoen-GBes_ES
dc.rightses_ES
dc.rights.uries_ES
dc.sourceRevista: Journal of Applied Physics, Periodo: 12, Volumen: 113, Número: 113, Página inicial: 024309-1, Página final: 024309-8es_ES
dc.titleStep-step interactions on GaAs(110) nanopatternses_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees_ES
dc.description.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersiones_ES
dc.rights.holderRevista comerciales_ES
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccesses_ES
dc.keywordsNanotecnología, GaAs, crecimiento, simulación, AFM, transistores-ES
dc.keywordsNanotechnology, GaAs, growth, simulation, AFM, transistoren-GB


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Nombre:
Step-step interactions on GaAs ...
Tamaño:
2.875Mb
Formato:
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  • Artículos
    Artículos de revista, capítulos de libro y contribuciones en congresos publicadas.

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