Nanoscale selective plasma etching of ultrathin HfO2 layers for advanced complementary metal-oxide-semiconductor devices
Fecha
20/10/2010Autor
Estado
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Presentamos un proceso de grabado en seco fiable para la fabricación de nanoestructuras profundas en capas ultrafinas (16 nm) de HfO2 depositadas sobre substratos de GaAs. We present a reliable dry-etch process for patterning deep-submicron structures in utra-thin (16 nm) HfO2 layers deposited on GaAs substrates.
Nanoscale selective plasma etching of ultrathin HfO2 layers for advanced complementary metal-oxide-semiconductor devices
Tipo de Actividad
Artículos en revistasISSN
0021-4922Palabras Clave
Nanotecnología, high-k, III-V, ICP-RIE, AFM, litografía, transistoresNanotechnology, high-k, III-V, ICP-RIE, AFM, lithogaphy, transistors