Fabrication of HfO2 patterns by laser interference nanolithography and selective dry etching for III-V CMOS application
Date
31/05/2011Author
Estado
info:eu-repo/semantics/publishedVersionMetadata
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Se describe la nanoestructuración de películas ultrafinas de HfO2 depositadas sobre sustratos de GaAs (001) por nanolitografía por interferencia láser de alta resolución de Lloyd. La transferencia del patrón a la película HfO2 se llevó a cabo mediante grabado por haz de iones reactivos utilizando plasmas de CF4 y O2. Nanostructuring of ultrathin HfO2 films deposited on GaAs (001) substrates by high-resolution Lloyd s mirror laser interference nanolithography is described. Pattern transfer to the HfO2 film was carried out by reactive ion beam etching using CF4 and O2 plasmas.
Fabrication of HfO2 patterns by laser interference nanolithography and selective dry etching for III-V CMOS application
Tipo de Actividad
Artículos en revistasISSN
1931-7573Palabras Clave
Nanotecnología, high-k, III-V, HfO2, GaAs, AFM, HRSEM, TEM. EDS, LInL, RIE, transistorNanotechnology, high-k, III-V, HfO2, GaAs, AFM, HRSEM, TEM. EDS, LInL, RIE, transistor