Modified energetic and growth kinetics on H-terminated GaAs (110

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Date
29/10/2013
Author
Galiana Blanco, Beatriz
Benedicto Córdoba, Marcos
Diez Merino, Laura
Lorbek, S.
Hlawacek, G.
Teichert, C.
Estado
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Metadata
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Abstract
La modificación, a través de hidrógeno atómico, de la energía de superficie de epicapas de GaAs (110) crecidas a altas temperaturas con haces moleculares de Ga y As4, ha sido investigado por fuerza de fricción microscopía (FFM).
 
Atomic hydrogen modification of the surface energy of GaAs (110) epilayers, grown at high temperatures from molecular beams of Ga and As4, has been investigated by friction force microscopy (FFM).
 
URI
http://hdl.handle.net/11531/12075
Modified energetic and growth kinetics on H-terminated GaAs (110
Tipo de Actividad
Artículos en revistas
ISSN
0021-9606
Palabras Clave
Nanotecnología, GaAs, MBE, crecimiento, AFM, FFM, simulación, transistor
Nanotechnology, GaAs, MBE, growth, AFM, FFM, simulation, transistor
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