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dc.contributor.authorCastro Ponce, Marioes-ES
dc.contributor.authorSánchez, A.es-ES
dc.contributor.authorDominguez Adame, F.es-ES
dc.date.accessioned2016-05-23T03:07:18Z
dc.date.available2016-05-23T03:07:18Z
dc.date.issued01/03/2000es_ES
dc.identifier.issn1098-0121es_ES
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11531/7856
dc.descriptionArtículos en revistases_ES
dc.description.abstractes-ES
dc.description.abstractWe propose a simple, versatile, and fast computational model to understand the deviations from the well-known Kolmogorov-Johnson-Mehl-Avrami kinetic theory found in metal recrystallization and amorphous semiconductor crystallization. Our model describes in detail the kinetics of the transformation and the grain size distribution of the product material, and is in good agreement with the available experimental data. Other morphological and kinetic features amenable of experimental observation are outlined, suggesting directions for further validation of the model.en-GB
dc.language.isoen-GBes_ES
dc.rightses_ES
dc.rights.uries_ES
dc.sourceRevista: Physical Review B, Periodo: 1, Volumen: 61, Número: 10, Página inicial: 6579, Página final: 6586es_ES
dc.titleLattice model for kinetics and grain-size distribution in crystallizationes_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees_ES
dc.description.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersiones_ES
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccesses_ES
dc.keywordses-ES
dc.keywordsavrami kinetics, growth, nucleation, recrystallization, silicon, filmsen-GB


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