Aplicación de Dispositivos Semiconductor de Carburo de Silicio en Convertidores de Electrónica de Potencia Multi-MW

Abstract

Este trabajo evalúa la viabilidad técnica y económica de sustituir módulos IGBT de silicio por MOSFET de carburo de silicio (SiC) en convertidores trifásicos industriales Multi-MW. Se emplea una herramienta de simulación en Excel para modelar las pérdidas eléctricas y térmicas. Los resultados confirman que la tecnología SiC mejora significativamente la eficiencia, permite aumentar la densidad de potencia y el coste global por unidad de potencia entregada se acerca al de la tecnología Si a día de hoy.

This project evaluates the technical and economic feasibility of replacing silicon IGBT modules with silicon carbide (SiC) MOSFETs in industrial multi-megawatt three-phase converters. An Excel-based simulation tool is used to model electrical and thermal losses. The results confirm that SiC technology significantly improves efficiency, increases power density, and brings the total cost per unit of delivered power closer to that of silicon-based technology today.