Keywords
Nanotecnología, GaAs, MBE, crecimiento, AFM, FFM, simulación, transistor, Nanotechnology, GaAs, MBE, growth, AFM, FFM, simulation, transistor
Modified energetic and growth kinetics on H-terminated GaAs (110
Abstract
La modificación, a través de hidrógeno atómico, de la energía de superficie de epicapas de GaAs (110) crecidas a altas temperaturas con haces moleculares de Ga y As4, ha sido investigado por fuerza de fricción microscopía (FFM).
Atomic hydrogen modification of the surface energy of GaAs (110) epilayers, grown at high temperatures from molecular beams of Ga and As4, has been investigated by friction force microscopy (FFM).
Atomic hydrogen modification of the surface energy of GaAs (110) epilayers, grown at high temperatures from molecular beams of Ga and As4, has been investigated by friction force microscopy (FFM).
Información detallada
Materias, derechos, colecciones e identificadores