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http://hdl.handle.net/11531/12061
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Campo DC | Valor | Lengua/Idioma |
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dc.contributor.author | Anguita, José | es-ES |
dc.contributor.author | Benedicto Córdoba, Marcos | es-ES |
dc.contributor.author | Álvaro, Raquel | es-ES |
dc.contributor.author | Galiana Blanco, Beatriz | es-ES |
dc.contributor.author | Tejedor Jorge, Paloma | es-ES |
dc.date.accessioned | 2016-08-31T14:36:45Z | - |
dc.date.available | 2016-08-31T14:36:45Z | - |
dc.date.issued | 20/10/2010 | es_ES |
dc.identifier.issn | 0021-4922 | es_ES |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11531/12061 | - |
dc.description | Artículos en revistas | es_ES |
dc.description.abstract | Presentamos un proceso de grabado en seco fiable para la fabricación de nanoestructuras profundas en capas ultrafinas (16 nm) de HfO2 depositadas sobre substratos de GaAs. | es-ES |
dc.description.abstract | We present a reliable dry-etch process for patterning deep-submicron structures in utra-thin (16 nm) HfO2 layers deposited on GaAs substrates. | en-GB |
dc.format.mimetype | application/pdf | es_ES |
dc.language.iso | en-GB | es_ES |
dc.rights | es_ES | |
dc.rights.uri | es_ES | |
dc.source | Revista: Japanese Journal of Applied Physics, Periodo: 12, Volumen: 49, Número: 49, Página inicial: 165041, Página final: 165043 | es_ES |
dc.title | Nanoscale selective plasma etching of ultrathin HfO2 layers for advanced complementary metal-oxide-semiconductor devices | es_ES |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article | es_ES |
dc.description.version | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | es_ES |
dc.rights.holder | Revista comercial | es_ES |
dc.rights.accessRights | info:eu-repo/semantics/restrictedAccess | es_ES |
dc.keywords | Nanotecnología, high-k, III-V, ICP-RIE, AFM, litografía, transistores | es-ES |
dc.keywords | Nanotechnology, high-k, III-V, ICP-RIE, AFM, lithogaphy, transistors | en-GB |
Aparece en las colecciones: | Artículos |
Ficheros en este ítem:
Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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Nanoscale Selective Plasma Etching of Ultrathin HfO2 layers for Advanced Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Devices (JJAP).pdf | 278,04 kB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir Request a copy |
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