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http://hdl.handle.net/11531/12062
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Campo DC | Valor | Lengua/Idioma |
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dc.contributor.author | Benedicto Córdoba, Marcos | es-ES |
dc.contributor.author | Anguita, José | es-ES |
dc.contributor.author | Álvaro, Raquel | es-ES |
dc.contributor.author | Galiana Blanco, Beatriz | es-ES |
dc.contributor.author | Molina Aldereguia, Jon | es-ES |
dc.contributor.author | Tejedor Jorge, Paloma | es-ES |
dc.date.accessioned | 2016-08-31T14:50:25Z | - |
dc.date.available | 2016-08-31T14:50:25Z | - |
dc.date.issued | 22/03/2011 | es_ES |
dc.identifier.issn | 1533-4880 | es_ES |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11531/12062 | - |
dc.description | Artículos en revistas | es_ES |
dc.description.abstract | Se presenta la nanoestructuración mediante litografía por haz de electrones (EBL) y el grabado por iones reactivos (RIE) con un plasma SF6/Ar+ de películas de HfO2 ultra-delgadas depositadas sobre sustratos de GaAs (001) para su aplicación como óxido de puerta para transistores III-V.-metal-óxido-semiconductor de efecto de campo de última generación (MOSFET). | es-ES |
dc.description.abstract | We report on the nanopatterning by electron beam lithography (EBL) and reactive ion etching (RIE) in a SF6/Ar+ plasma of ultra-thin HfO2 films deposited on GaAs (001) substrates for gate oxide application in next generation III V metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs). | en-GB |
dc.format.mimetype | application/pdf | es_ES |
dc.language.iso | en-GB | es_ES |
dc.rights | es_ES | |
dc.rights.uri | es_ES | |
dc.source | Revista: Journal of Nanoscience and Nanotechnology, Periodo: 12, Volumen: 11, Número: 11, Página inicial: 1, Página final: 5 | es_ES |
dc.title | Nanostructuring of ultra-thin HfO2 layers for high-k/III-V device application | es_ES |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article | es_ES |
dc.description.version | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | es_ES |
dc.rights.holder | Revista comercial | es_ES |
dc.rights.accessRights | info:eu-repo/semantics/restrictedAccess | es_ES |
dc.keywords | Nanotecnología, high-k, III-V, EBL, RIE, AFM, SEM, TEM, EDS, MOSFET, transistores | es-ES |
dc.keywords | Nanotechnology, high-k, III-V, EBL, RIE, AFM, SEM, TEM, EDS, MOSFET, transistors | en-GB |
Aparece en las colecciones: | Artículos |
Ficheros en este ítem:
Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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Nanoestructuracion of ultr-thin HfO2 layer for high-kIII-V device application(JNN).pdf | 457,6 kB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir Request a copy |
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