1. Repositorio Universidad Pontificia Comillas
  2. 2.- Investigación
  3. Artículos
Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://hdl.handle.net/11531/12066
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dc.contributor.authorWong, C.S.es-ES
dc.contributor.authorBennet, N.S.es-ES
dc.contributor.authorMcNally, P.J.es-ES
dc.contributor.authorGaliana Blanco, Beatrizes-ES
dc.contributor.authorTejedor Jorge, Palomaes-ES
dc.contributor.authorBenedicto Córdoba, Marcoses-ES
dc.contributor.authorMolina Aldereguia, Jones-ES
dc.contributor.authorMonaghan, S.es-ES
dc.contributor.authorHurley, P.K.es-ES
dc.contributor.authorCherkaoui, K.es-ES
dc.date.accessioned2016-08-31T15:00:17Z-
dc.date.available2016-08-31T15:00:17Z-
dc.date.issued08/10/2010es_ES
dc.identifier.issn0167-9317es_ES
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11531/12066-
dc.descriptionArtículos en revistases_ES
dc.description.abstractEste es un trabajo de caracterización mediante múltiples técnicas con el objeto investigar las propiedades de las capas de GaAs crecidas por MOVPE sobre sustratos de Si - (100) con un offset de 4 hacia <1 1 0> bajo diferentes condiciones de crecimiento.es-ES
dc.description.abstractIn this work multi-technique characterisation is used to investigate properties of GaAs layers grown by Metal Organic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE) on Si substrates (100) with 4 offset towards <1 1 0> under various growth conditions.en-GB
dc.format.mimetypeapplication/pdfes_ES
dc.language.isoen-GBes_ES
dc.rightses_ES
dc.rights.uries_ES
dc.sourceRevista: Microelectronic Engineering, Periodo: 12, Volumen: 88, Número: 88, Página inicial: 472, Página final: 475es_ES
dc.titleMulti-technique characterization of MOVPE-grown GaAs on Sies_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees_ES
dc.description.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersiones_ES
dc.rights.holderRevista comerciales_ES
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccesses_ES
dc.keywordsNanotecnología. GaAs, Si, MOVPE, Raman, XRD, photoluminescence, CMOSes-ES
dc.keywordsNanotechnology. GaAs, Si, MOVPE, Raman, XRD, fotoluminescencia, CMOSen-GB
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