Thermal stability of HfO2-on-GaAs nanopatterns

Galiana Blanco, Beatriz; Benedicto Córdoba, Marcos; Vázquez Burgos, Luís; Molina Aldereguia, Jon; Tejedor Jorge, Paloma

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Campo DC	Valor	Lengua/Idioma
dc.contributor.author	Galiana Blanco, Beatriz	es-ES
dc.contributor.author	Benedicto Córdoba, Marcos	es-ES
dc.contributor.author	Vázquez Burgos, Luís	es-ES
dc.contributor.author	Molina Aldereguia, Jon	es-ES
dc.contributor.author	Tejedor Jorge, Paloma	es-ES
dc.date.accessioned	2016-08-31T15:16:49Z	-
dc.date.available	2016-08-31T15:16:49Z	-
dc.date.issued	26/04/2012	es_ES
dc.identifier.issn	2040-3364	es_ES
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11531/12068	-
dc.description	Artículos en revistas	es_ES
dc.description.abstract	Hemos evaluado el efecto de recocido térmico en la morfología, la fase cristalina y la composición elemental de nanopatrones de dieléctricos de alta K HfO2-on-GaAs a 500-620C mediante el uso de microscopía de fuerza atómica (AFM), de alta resolución microscopía electrónica de transmisión ( HRTEM) y espectroscopia de rayos X de energía dispersiva (EDS).	es-ES
dc.description.abstract	We have evaluated the effect of thermal annealing on the morphology, crystalline phase and elemental composition of high-k dielectric HfO2-on-GaAs nanopatterns at 500 620 C by using atomic force microscopy (AFM), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS).	en-GB
dc.format.mimetype	application/pdf	es_ES
dc.language.iso	en-GB	es_ES
dc.rights		es_ES
dc.rights.uri		es_ES
dc.source	Revista: Nanoscale, Periodo: 12, Volumen: 4, Número: 4, Página inicial: 3734, Página final: 3738	es_ES
dc.title	Thermal stability of HfO2-on-GaAs nanopatterns	es_ES
dc.type	info:eu-repo/semantics/article	es_ES
dc.description.version	info:eu-repo/semantics/publishedVersion	es_ES
dc.rights.holder	Revista comercial	es_ES
dc.rights.accessRights	info:eu-repo/semantics/restrictedAccess	es_ES
dc.keywords	Nanotecnología, high-k, III-V, HfO2, GaAs, patrones, recocido, AFM, TEM, EDS, transistor	es-ES
dc.keywords	Nanotechnology, high-k, III-V, HfO2, GaAs, patterns, annealing, AFM, TEM, EDS, transistor	en-GB
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