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http://hdl.handle.net/11531/12070
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Campo DC | Valor | Lengua/Idioma |
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dc.contributor.author | Wong, C.S. | es-ES |
dc.contributor.author | Bennet, N.S. | es-ES |
dc.contributor.author | Galiana Blanco, Beatriz | es-ES |
dc.contributor.author | Benedicto Córdoba, Marcos | es-ES |
dc.contributor.author | Molina Aldereguia, Jon | es-ES |
dc.contributor.author | McNally, P.J. | es-ES |
dc.date.accessioned | 2016-08-31T15:28:23Z | - |
dc.date.available | 2016-08-31T15:28:23Z | - |
dc.date.issued | 04/10/2012 | es_ES |
dc.identifier.issn | 0268-1242 | es_ES |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11531/12070 | - |
dc.description | Artículos en revistas | es_ES |
dc.description.abstract | En este trabajo investigamos las propiedades estructurales de las capas de GaAs crecidos por epitaxia en fase vapor de metal-orgánico en sustratos Ge (1 0 0) con un offset de 6 hacia 1 1 1 bajo diversas condiciones de crecimiento. | es-ES |
dc.description.abstract | In this work, we investigate the structural properties of GaAs layers grown by metal-organic vapour phase epitaxy on Ge substrates (1 0 0) with 6◦ offset towards 1 1 1 under various growth conditions. | en-GB |
dc.format.mimetype | application/pdf | es_ES |
dc.language.iso | en-GB | es_ES |
dc.rights | es_ES | |
dc.rights.uri | es_ES | |
dc.source | Revista: Semiconductor Science and Technology, Periodo: 12, Volumen: 27, Número: 27, Página inicial: 1150121, Página final: 1150127 | es_ES |
dc.title | Structural investigation of MOVPE-grown GaAs on Ge by x-ray techniques | es_ES |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article | es_ES |
dc.description.version | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | es_ES |
dc.rights.holder | Revista comercial | es_ES |
dc.rights.accessRights | info:eu-repo/semantics/restrictedAccess | es_ES |
dc.keywords | Nanotecnología, GaAs, Ge, MOVPE, AFM, XRD, XRT sincrotron | es-ES |
dc.keywords | Nanotechnology, GaAs, Ge, MOVPE, AFM, XRD, XRT synchrotron | en-GB |
Aparece en las colecciones: | Artículos |
Ficheros en este ítem:
Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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Structural investigation of MOVPE GaAs on Ge by x-ray (SST).pdf | 1,26 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir Request a copy |
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