Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:
http://hdl.handle.net/11531/12075| Título : | Modified energetic and growth kinetics on H-terminated GaAs (110 |
| Autor : | Galiana Blanco, Beatriz Benedicto Córdoba, Marcos Diez Merino, Laura Lorbek, S. Hlawacek, G. Teichert, C. |
| Fecha de publicación : | 29 |
| Resumen : | La modificación, a través de hidrógeno atómico, de la energía de superficie de epicapas de GaAs (110) crecidas a altas temperaturas con haces moleculares de Ga y As4, ha sido investigado por fuerza de fricción microscopía (FFM). Atomic hydrogen modification of the surface energy of GaAs (110) epilayers, grown at high temperatures from molecular beams of Ga and As4, has been investigated by friction force microscopy (FFM). |
| Descripción : | Artículos en revistas |
| URI : | http://hdl.handle.net/11531/12075 |
| ISSN : | 0021-9606 |
| Aparece en las colecciones: | Artículos |
Ficheros en este ítem:
| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| Modified energetics and growth kinetics on H-terminated GaAs (110) (JCP).pdf | 1,02 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir Request a copy |
Los ítems de DSpace están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.