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dc.contributor.authorCastro Ponce, Marioes-ES
dc.contributor.authorDominguez Adame, F.es-ES
dc.date.accessioned2016-05-23T03:07:30Z-
dc.date.available2016-05-23T03:07:30Z-
dc.date.issued01/03/1997es_ES
dc.identifier.issn0375-9601es_ES
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11531/7894-
dc.descriptionArtículos en revistases_ES
dc.description.abstractes-ES
dc.description.abstractWe present a thorough study of transmission and localization properties of Fibonacci superlattices, both in flat band conditions and subject to homogeneous electric fields perpendicular to the layers. We use the transfer matrix formalism to determine the transmission coefficient and the degree of localization of the electronic states. We find that the fragmentation pattern of the electronic spectrum is strongly modified when the electric field is switched on, this effect being more noticeable as the system length increases. We relate those phenomena to field-induced localization of carriers in Fibonacci superlattices.en-GB
dc.language.isoen-GBes_ES
dc.rightses_ES
dc.rights.uries_ES
dc.sourceRevista: Physics Letters A, Periodo: 1, Volumen: 225, Número: 4-6, Página inicial: 321, Página final: 325es_ES
dc.titleElectric field effects in Fibonacci superlatticeses_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees_ES
dc.description.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersiones_ES
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccesses_ES
dc.keywordses-ES
dc.keywordssemiconductor superlattice, bloch oscillations, gaasen-GB
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