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Mostrando ítems 11616-11635 de 17803
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N.T. II: Cartas y Epístolas
(01/09/2016) -
N.T. II: Cartas y Epístolas
(02/09/2018) -
N.T.I: Evangelios y Hechos
(16/09/2016) -
N.T.I: Evangelios y Hechos
(16/09/2016) -
N.T.I: Evangelios y Hechos
(10/08/2015) -
N.T.I: Evangelios y Hechos
(28/07/2015) -
N.T.I: Evangelios y Hechos
(16/09/2018) -
N.T.I: Evangelios y Hechos
(10/09/2018) -
El nacimiento del lenguaje.
(01/01/2010)El nacimiento del lenguaje Según diversos estudios realizados, se ha podido comprobar que la mayoría de los humanos nacemos con las bases del lenguaje impreso en el cerebro. De hecho, un niño sordo podría empezar a balbucear ... -
Naciones Unidas, ONGs y gobernanza global
(26/11/2015) -
Naciones Unidas, ONGs y gobernanza global
(22/09/2016) -
Naciones Unidas, ONGs y gobernanza global
(09/01/2017) -
Naciones Unidas, ONGs y gobernanza global
(05/06/2018) -
Nadie debe perder
(11/02/2009)La inmigración en España está alterando la convivencia diaria. Son muchas las situaciones cotidianas en las que la presencia de los "otros" están modificando las reglas y los sentidos. -
Nadie debe perder
(Universidad Pontificia Comillas (Madrid, España), 11/12/2008)La trayectoria educativa y de inserción laboral de la juventud inmigrante es configurada por una compleja constelación de variables determinantes que se perfilan cruciales para el futuro de nuestro país. -
Nagorno Karabag ¿Disputa Territorial o energética?
(01/05/2003)Durante el período soviético, el conflicto de Nagorno-Karabag permaneció latente aunque la población armenia que residía en Occidente15 se encargaba de avivarlo. Sin embargo, la URSS una vez que superó el horror genocida ... -
Nanoscale pattern formation at surfaces under ion-beam sputtering: a perspective from continuum models
(01/05/2011)Although reports on surface nanostructuring of solid targets by low to medium energy ion irradiation date back to the 1960s, only with the advent of high resolution tools for surface/interface characterization has the high ... -
Nanoscale selective plasma etching of ultrathin HfO2 layers for advanced complementary metal-oxide-semiconductor devices
(20/10/2010)Presentamos un proceso de grabado en seco fiable para la fabricación de nanoestructuras profundas en capas ultrafinas (16 nm) de HfO2 depositadas sobre substratos de GaAs. -
Nanostructuring of ultra-thin HfO2 layers for high-k/III-V device application
(22/03/2011)Se presenta la nanoestructuración mediante litografía por haz de electrones (EBL) y el grabado por iones reactivos (RIE) con un plasma SF6/Ar+ de películas de HfO2 ultra-delgadas depositadas sobre sustratos de GaAs (001) ...