Multi-technique characterization of MOVPE-grown GaAs on Si
Fecha
08/10/2010Autor
Estado
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Este es un trabajo de caracterización mediante múltiples técnicas con el objeto investigar las propiedades de las capas de GaAs crecidas por MOVPE sobre sustratos de Si - (100) con un offset de 4 hacia <1 1 0> bajo diferentes condiciones de crecimiento. In this work multi-technique characterisation is used to investigate properties of GaAs layers grown by Metal Organic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE) on Si substrates (100) with 4 offset towards <1 1 0> under various growth conditions.
Multi-technique characterization of MOVPE-grown GaAs on Si
Tipo de Actividad
Artículos en revistasISSN
0167-9317Palabras Clave
Nanotecnología. GaAs, Si, MOVPE, Raman, XRD, photoluminescence, CMOSNanotechnology. GaAs, Si, MOVPE, Raman, XRD, fotoluminescencia, CMOS