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    • Fabrication of HfO2 patterns by laser interference nanolithography and selective dry etching for III-V CMOS application 

      Benedicto Córdoba, Marcos; Galiana Blanco, Beatriz; Molina Aldereguia, Jon; Monaghan, S.; Hurley, P.K.; Cherkaoui, K.; Vázquez Burgos, Luís; Tejedor Jorge, Paloma (31/05/2011)
      Se describe la nanoestructuración de películas ultrafinas de HfO2 depositadas sobre sustratos de GaAs (001) por nanolitografía por interferencia láser de alta resolución de Lloyd. La transferencia del patrón a la película ...
    • Multi-technique characterization of MOVPE-grown GaAs on Si 

      Wong, C.S.; Bennet, N.S.; McNally, P.J.; Galiana Blanco, Beatriz; Tejedor Jorge, Paloma; Benedicto Córdoba, Marcos; Molina Aldereguia, Jon; Monaghan, S.; Hurley, P.K.; Cherkaoui, K. (08/10/2010)
      Este es un trabajo de caracterización mediante múltiples técnicas con el objeto investigar las propiedades de las capas de GaAs crecidas por MOVPE sobre sustratos de Si - (100) con un offset de 4 hacia <1 1 0> bajo ...
    • Nanostructuring of ultra-thin HfO2 layers for high-k/III-V device application 

      Benedicto Córdoba, Marcos; Anguita, José; Álvaro, Raquel; Galiana Blanco, Beatriz; Molina Aldereguia, Jon; Tejedor Jorge, Paloma (22/03/2011)
      Se presenta la nanoestructuración mediante litografía por haz de electrones (EBL) y el grabado por iones reactivos (RIE) con un plasma SF6/Ar+ de películas de HfO2 ultra-delgadas depositadas sobre sustratos de GaAs (001) ...
    • Structural investigation of MOVPE-grown GaAs on Ge by x-ray techniques 

      Wong, C.S.; Bennet, N.S.; Galiana Blanco, Beatriz; Benedicto Córdoba, Marcos; Molina Aldereguia, Jon; McNally, P.J. (04/10/2012)
      En este trabajo investigamos las propiedades estructurales de las capas de GaAs crecidos por epitaxia en fase vapor de metal-orgánico en sustratos Ge (1 0 0) con un offset de 6 hacia 1 1 1 bajo diversas condiciones de ...
    • Thermal stability of HfO2-on-GaAs nanopatterns 

      Galiana Blanco, Beatriz; Benedicto Córdoba, Marcos; Vázquez Burgos, Luís; Molina Aldereguia, Jon; Tejedor Jorge, Paloma (26/04/2012)
      Hemos evaluado el efecto de recocido térmico en la morfología, la fase cristalina y la composición elemental de nanopatrones de dieléctricos de alta K HfO2-on-GaAs a 500-620C mediante el uso de microscopía de fuerza atómica ...