Thermal stability of HfO2-on-GaAs nanopatterns

Hemos evaluado el efecto de recocido térmico en la morfología, la fase cristalina y la composición elemental de nanopatrones de dieléctricos de alta K HfO2-on-GaAs a 500-620C mediante el uso de microscopía de fuerza atómica (AFM), de alta resolución microscopía electrónica de transmisión ( HRTEM) y espectroscopia de rayos X de energía dispersiva (EDS).

We have evaluated the effect of thermal annealing on the morphology, crystalline phase and elemental composition of high-k dielectric HfO2-on-GaAs nanopatterns at 500 620 C by using atomic force microscopy (AFM), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS).

URI

http://hdl.handle.net/11531/12068

Tipo de Actividad

Artículos en revistas

ISSN

2040-3364

Palabras Clave

Nanotecnología, high-k, III-V, HfO2, GaAs, patrones, recocido, AFM, TEM, EDS, transistor
Nanotechnology, high-k, III-V, HfO2, GaAs, patterns, annealing, AFM, TEM, EDS, transistor

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