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Structural investigation of MOVPE-grown GaAs on Ge by x-ray techniques

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Structural investigation of MOVPE GaAs on Ge by x-ray (SST).pdf (1.233Mb)
Fecha
04/10/2012
Autor
Wong, C.S.
Bennet, N.S.
Galiana Blanco, Beatriz
Benedicto Córdoba, Marcos
Molina Aldereguia, Jon
McNally, P.J.
Estado
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Metadatos
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Resumen
En este trabajo investigamos las propiedades estructurales de las capas de GaAs crecidos por epitaxia en fase vapor de metal-orgánico en sustratos Ge (1 0 0) con un offset de 6 hacia 1 1 1 bajo diversas condiciones de crecimiento.
 
In this work, we investigate the structural properties of GaAs layers grown by metal-organic vapour phase epitaxy on Ge substrates (1 0 0) with 6◦ offset towards 1 1 1 under various growth conditions.
 
URI
http://hdl.handle.net/11531/12070
Structural investigation of MOVPE-grown GaAs on Ge by x-ray techniques
Tipo de Actividad
Artículos en revistas
ISSN
0268-1242
Palabras Clave
Nanotecnología, GaAs, Ge, MOVPE, AFM, XRD, XRT sincrotron
Nanotechnology, GaAs, Ge, MOVPE, AFM, XRD, XRT synchrotron
Colecciones
  • Artículos

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