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Structural investigation of MOVPE-grown GaAs on Ge by x-ray techniques

dc.contributor.authorWong, C.S.es-ES
dc.contributor.authorBennet, N.S.es-ES
dc.contributor.authorGaliana Blanco, Beatrizes-ES
dc.contributor.authorBenedicto Córdoba, Marcoses-ES
dc.contributor.authorMolina Aldereguia, Jones-ES
dc.contributor.authorMcNally, P.J.es-ES
dc.date.accessioned2016-08-31T15:28:23Z
dc.date.available2016-08-31T15:28:23Z
dc.date.issued04/10/2012es_ES
dc.identifier.issn0268-1242es_ES
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11531/12070
dc.descriptionArtículos en revistases_ES
dc.description.abstractEn este trabajo investigamos las propiedades estructurales de las capas de GaAs crecidos por epitaxia en fase vapor de metal-orgánico en sustratos Ge (1 0 0) con un offset de 6 hacia 1 1 1 bajo diversas condiciones de crecimiento.es-ES
dc.description.abstractIn this work, we investigate the structural properties of GaAs layers grown by metal-organic vapour phase epitaxy on Ge substrates (1 0 0) with 6◦ offset towards 1 1 1 under various growth conditions.en-GB
dc.format.mimetypeapplication/pdfes_ES
dc.language.isoen-GBes_ES
dc.rightses_ES
dc.rights.uries_ES
dc.sourceRevista: Semiconductor Science and Technology, Periodo: 12, Volumen: 27, Número: 27, Página inicial: 1150121, Página final: 1150127es_ES
dc.titleStructural investigation of MOVPE-grown GaAs on Ge by x-ray techniqueses_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees_ES
dc.description.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersiones_ES
dc.rights.holderRevista comerciales_ES
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccesses_ES
dc.keywordsNanotecnología, GaAs, Ge, MOVPE, AFM, XRD, XRT sincrotrones-ES
dc.keywordsNanotechnology, GaAs, Ge, MOVPE, AFM, XRD, XRT synchrotronen-GB


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Nombre:
Structural investigation of MOVPE ...
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    Artículos de revista, capítulos de libro y contribuciones en congresos publicadas.

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