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Fabrication of HfO2 patterns by laser interference nanolithography and selective dry etching for III-V CMOS application

dc.contributor.authorBenedicto Córdoba, Marcoses-ES
dc.contributor.authorGaliana Blanco, Beatrizes-ES
dc.contributor.authorMolina Aldereguia, Jones-ES
dc.contributor.authorMonaghan, S.es-ES
dc.contributor.authorHurley, P.K.es-ES
dc.contributor.authorCherkaoui, K.es-ES
dc.contributor.authorVázquez Burgos, Luíses-ES
dc.contributor.authorTejedor Jorge, Palomaes-ES
dc.date.accessioned2016-08-31T15:08:40Z
dc.date.available2016-08-31T15:08:40Z
dc.date.issued31/05/2011es_ES
dc.identifier.issn1931-7573es_ES
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11531/12067
dc.descriptionArtículos en revistases_ES
dc.description.abstractSe describe la nanoestructuración de películas ultrafinas de HfO2 depositadas sobre sustratos de GaAs (001) por nanolitografía por interferencia láser de alta resolución de Lloyd. La transferencia del patrón a la película HfO2 se llevó a cabo mediante grabado por haz de iones reactivos utilizando plasmas de CF4 y O2.es-ES
dc.description.abstractNanostructuring of ultrathin HfO2 films deposited on GaAs (001) substrates by high-resolution Lloyd s mirror laser interference nanolithography is described. Pattern transfer to the HfO2 film was carried out by reactive ion beam etching using CF4 and O2 plasmas.en-GB
dc.format.mimetypeapplication/pdfes_ES
dc.language.isoen-GBes_ES
dc.rightsCreative Commons Reconocimiento-NoComercial-SinObraDerivada Españaes_ES
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/es_ES
dc.sourceRevista: Nanoscale Research Letters, Periodo: 12, Volumen: 6, Número: 6, Página inicial: 400, Página final: 400es_ES
dc.titleFabrication of HfO2 patterns by laser interference nanolithography and selective dry etching for III-V CMOS applicationes_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees_ES
dc.description.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersiones_ES
dc.rights.holderes_ES
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_ES
dc.keywordsNanotecnología, high-k, III-V, HfO2, GaAs, AFM, HRSEM, TEM. EDS, LInL, RIE, transistores-ES
dc.keywordsNanotechnology, high-k, III-V, HfO2, GaAs, AFM, HRSEM, TEM. EDS, LInL, RIE, transistoren-GB


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Fabrication of HfO2 pattern by ...
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