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Modified energetic and growth kinetics on H-terminated GaAs (110

dc.contributor.authorGaliana Blanco, Beatrizes-ES
dc.contributor.authorBenedicto Córdoba, Marcoses-ES
dc.contributor.authorDiez Merino, Lauraes-ES
dc.contributor.authorLorbek, S.es-ES
dc.contributor.authorHlawacek, G.es-ES
dc.contributor.authorTeichert, C.es-ES
dc.date.accessioned2016-08-31T15:45:00Z
dc.date.available2016-08-31T15:45:00Z
dc.date.issued29/10/2013es_ES
dc.identifier.issn0021-9606es_ES
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11531/12075
dc.descriptionArtículos en revistases_ES
dc.description.abstractLa modificación, a través de hidrógeno atómico, de la energía de superficie de epicapas de GaAs (110) crecidas a altas temperaturas con haces moleculares de Ga y As4, ha sido investigado por fuerza de fricción microscopía (FFM).es-ES
dc.description.abstractAtomic hydrogen modification of the surface energy of GaAs (110) epilayers, grown at high temperatures from molecular beams of Ga and As4, has been investigated by friction force microscopy (FFM).en-GB
dc.format.mimetypeapplication/pdfes_ES
dc.language.isoen-GBes_ES
dc.rightses_ES
dc.rights.uries_ES
dc.sourceRevista: Journal of Chemical Physics, Periodo: 12, Volumen: 139, Número: 139, Página inicial: 164712-1, Página final: 164712-7es_ES
dc.titleModified energetic and growth kinetics on H-terminated GaAs (110es_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees_ES
dc.description.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersiones_ES
dc.rights.holderRevista comerciales_ES
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccesses_ES
dc.keywordsNanotecnología, GaAs, MBE, crecimiento, AFM, FFM, simulación, transistores-ES
dc.keywordsNanotechnology, GaAs, MBE, growth, AFM, FFM, simulation, transistoren-GB


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Nombre:
Modified energetics and growth ...
Tamaño:
1017.Kb
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