Selective area growth of InxGa1-xAs nanowires on HfO2 templates for highly scaled n-MOS devices

dc.contributor.author	Benedicto Córdoba, Marcos	es-ES
dc.contributor.author	Tejedor Jorge, Paloma	es-ES
dc.date.accessioned	2019-06-18T14:37:24Z
dc.date.available	2019-06-18T14:37:24Z
dc.date.issued	01/02/2019	es_ES
dc.identifier.issn	2059-8521	es_ES
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11531/37456
dc.description	Artículos en revistas	es_ES
dc.description.abstract	Selective area growth of InxGa1-xAs nanowires on HfO2 templates for highly scaled n-MOS devices	es-ES
dc.description.abstract	Selective area growth of InxGa1-xAs nanowires on HfO2 templates for highly scaled n-MOS devices	en-GB
dc.format.mimetype	application/pdf	es_ES
dc.language.iso	en-GB	es_ES
dc.rights	Creative Commons Reconocimiento-NoComercial-SinObraDerivada España	es_ES
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/	es_ES
dc.source	Revista: MRS Advances, Periodo: 12, Volumen: 1, Número: 1, Página inicial: 1, Página final: 6	es_ES
dc.title	Selective area growth of InxGa1-xAs nanowires on HfO2 templates for highly scaled n-MOS devices	es_ES
dc.type	info:eu-repo/semantics/article	es_ES
dc.description.version	info:eu-repo/semantics/publishedVersion	es_ES
dc.rights.holder		es_ES
dc.rights.accessRights	info:eu-repo/semantics/openAccess	es_ES
dc.keywords	Selective area growth of InxGa1-xAs nanowires on HfO2 templates for highly scaled n-MOS devices	es-ES
dc.keywords	Selective area growth of InxGa1-xAs nanowires on HfO2 templates for highly scaled n-MOS devices	en-GB
dc.identifier.doi	10.1557/adv.2019.96	es_ES

Artículos
Artículos de revista, capítulos de libro y contribuciones en congresos publicadas.

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