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http://hdl.handle.net/11531/12061| Título : | Nanoscale selective plasma etching of ultrathin HfO2 layers for advanced complementary metal-oxide-semiconductor devices |
| Autor : | Anguita, José Benedicto Córdoba, Marcos Álvaro, Raquel Galiana Blanco, Beatriz Tejedor Jorge, Paloma |
| Fecha de publicación : | 20 |
| Resumen : | Presentamos un proceso de grabado en seco fiable para la fabricación de nanoestructuras profundas en capas ultrafinas (16 nm) de HfO2 depositadas sobre substratos de GaAs. We present a reliable dry-etch process for patterning deep-submicron structures in utra-thin (16 nm) HfO2 layers deposited on GaAs substrates. |
| Descripción : | Artículos en revistas |
| URI : | http://hdl.handle.net/11531/12061 |
| ISSN : | 0021-4922 |
| Aparece en las colecciones: | Artículos |
Ficheros en este ítem:
| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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| Nanoscale Selective Plasma Etching of Ultrathin HfO2 layers for Advanced Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Devices (JJAP).pdf | 278,04 kB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir Request a copy |
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