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http://hdl.handle.net/11531/12062| Título : | Nanostructuring of ultra-thin HfO2 layers for high-k/III-V device application |
| Autor : | Benedicto Córdoba, Marcos Anguita, José Álvaro, Raquel Galiana Blanco, Beatriz Molina Aldereguia, Jon Tejedor Jorge, Paloma |
| Fecha de publicación : | 22 |
| Resumen : | Se presenta la nanoestructuración mediante litografía por haz de electrones (EBL) y el grabado por iones reactivos (RIE) con un plasma SF6/Ar+ de películas de HfO2 ultra-delgadas depositadas sobre sustratos de GaAs (001) para su aplicación como óxido de puerta para transistores III-V.-metal-óxido-semiconductor de efecto de campo de última generación (MOSFET). We report on the nanopatterning by electron beam lithography (EBL) and reactive ion etching (RIE) in a SF6/Ar+ plasma of ultra-thin HfO2 films deposited on GaAs (001) substrates for gate oxide application in next generation III V metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs). |
| Descripción : | Artículos en revistas |
| URI : | http://hdl.handle.net/11531/12062 |
| ISSN : | 1533-4880 |
| Aparece en las colecciones: | Artículos |
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| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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| Nanoestructuracion of ultr-thin HfO2 layer for high-kIII-V device application(JNN).pdf | 457,6 kB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir Request a copy |
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