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http://hdl.handle.net/11531/12067
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Campo DC | Valor | Lengua/Idioma |
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dc.contributor.author | Benedicto Córdoba, Marcos | es-ES |
dc.contributor.author | Galiana Blanco, Beatriz | es-ES |
dc.contributor.author | Molina Aldereguia, Jon | es-ES |
dc.contributor.author | Monaghan, S. | es-ES |
dc.contributor.author | Hurley, P.K. | es-ES |
dc.contributor.author | Cherkaoui, K. | es-ES |
dc.contributor.author | Vázquez Burgos, Luís | es-ES |
dc.contributor.author | Tejedor Jorge, Paloma | es-ES |
dc.date.accessioned | 2016-08-31T15:08:40Z | - |
dc.date.available | 2016-08-31T15:08:40Z | - |
dc.date.issued | 31/05/2011 | es_ES |
dc.identifier.issn | 1931-7573 | es_ES |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11531/12067 | - |
dc.description | Artículos en revistas | es_ES |
dc.description.abstract | Se describe la nanoestructuración de películas ultrafinas de HfO2 depositadas sobre sustratos de GaAs (001) por nanolitografía por interferencia láser de alta resolución de Lloyd. La transferencia del patrón a la película HfO2 se llevó a cabo mediante grabado por haz de iones reactivos utilizando plasmas de CF4 y O2. | es-ES |
dc.description.abstract | Nanostructuring of ultrathin HfO2 films deposited on GaAs (001) substrates by high-resolution Lloyd s mirror laser interference nanolithography is described. Pattern transfer to the HfO2 film was carried out by reactive ion beam etching using CF4 and O2 plasmas. | en-GB |
dc.format.mimetype | application/pdf | es_ES |
dc.language.iso | en-GB | es_ES |
dc.rights | Creative Commons Reconocimiento-NoComercial-SinObraDerivada España | es_ES |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ | es_ES |
dc.source | Revista: Nanoscale Research Letters, Periodo: 12, Volumen: 6, Número: 6, Página inicial: 400, Página final: 400 | es_ES |
dc.title | Fabrication of HfO2 patterns by laser interference nanolithography and selective dry etching for III-V CMOS application | es_ES |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article | es_ES |
dc.description.version | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | es_ES |
dc.rights.holder | es_ES | |
dc.rights.accessRights | info:eu-repo/semantics/openAccess | es_ES |
dc.keywords | Nanotecnología, high-k, III-V, HfO2, GaAs, AFM, HRSEM, TEM. EDS, LInL, RIE, transistor | es-ES |
dc.keywords | Nanotechnology, high-k, III-V, HfO2, GaAs, AFM, HRSEM, TEM. EDS, LInL, RIE, transistor | en-GB |
Aparece en las colecciones: | Artículos |
Ficheros en este ítem:
Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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Fabrication of HfO2 pattern by laser interference nanolithography and selective dry etching for III-V CMOS applications (NRL).pdf | 1,09 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |
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