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http://hdl.handle.net/11531/12067| Título : | Fabrication of HfO2 patterns by laser interference nanolithography and selective dry etching for III-V CMOS application |
| Autor : | Benedicto Córdoba, Marcos Galiana Blanco, Beatriz Molina Aldereguia, Jon Monaghan, S. Hurley, P.K. Cherkaoui, K. Vázquez Burgos, Luís Tejedor Jorge, Paloma |
| Fecha de publicación : | 31 |
| Resumen : | Se describe la nanoestructuración de películas ultrafinas de HfO2 depositadas sobre sustratos de GaAs (001) por nanolitografía por interferencia láser de alta resolución de Lloyd. La transferencia del patrón a la película HfO2 se llevó a cabo mediante grabado por haz de iones reactivos utilizando plasmas de CF4 y O2. Nanostructuring of ultrathin HfO2 films deposited on GaAs (001) substrates by high-resolution Lloyd s mirror laser interference nanolithography is described. Pattern transfer to the HfO2 film was carried out by reactive ion beam etching using CF4 and O2 plasmas. |
| Descripción : | Artículos en revistas |
| URI : | http://hdl.handle.net/11531/12067 |
| ISSN : | 1931-7573 |
| Aparece en las colecciones: | Artículos |
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| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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| Fabrication of HfO2 pattern by laser interference nanolithography and selective dry etching for III-V CMOS applications (NRL).pdf | 1,09 MB | Adobe PDF |  Visualizar/Abrir |
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