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http://hdl.handle.net/11531/12070| Título : | Structural investigation of MOVPE-grown GaAs on Ge by x-ray techniques |
| Autor : | Wong, C.S. Bennet, N.S. Galiana Blanco, Beatriz Benedicto Córdoba, Marcos Molina Aldereguia, Jon McNally, P.J. |
| Fecha de publicación : | 4 |
| Resumen : | En este trabajo investigamos las propiedades estructurales de las capas de GaAs crecidos por epitaxia en fase vapor de metal-orgánico en sustratos Ge (1 0 0) con un offset de 6 hacia 1 1 1 bajo diversas condiciones de crecimiento. In this work, we investigate the structural properties of GaAs layers grown by metal-organic vapour phase epitaxy on Ge substrates (1 0 0) with 6◦ offset towards 1 1 1 under various growth conditions. |
| Descripción : | Artículos en revistas |
| URI : | http://hdl.handle.net/11531/12070 |
| ISSN : | 0268-1242 |
| Aparece en las colecciones: | Artículos |
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| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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