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http://hdl.handle.net/11531/37456Registro completo de metadatos
| Campo DC | Valor | Lengua/Idioma |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Benedicto Córdoba, Marcos | es-ES |
| dc.contributor.author | Tejedor Jorge, Paloma | es-ES |
| dc.date.accessioned | 2019-06-18T14:37:24Z | - |
| dc.date.available | 2019-06-18T14:37:24Z | - |
| dc.date.issued | 01/02/2019 | es_ES |
| dc.identifier.issn | 2059-8521 | es_ES |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11531/37456 | - |
| dc.description | Artículos en revistas | es_ES |
| dc.description.abstract | Selective area growth of InxGa1-xAs nanowires on HfO2 templates for highly scaled n-MOS devices | es-ES |
| dc.description.abstract | Selective area growth of InxGa1-xAs nanowires on HfO2 templates for highly scaled n-MOS devices | en-GB |
| dc.format.mimetype | application/pdf | es_ES |
| dc.language.iso | en-GB | es_ES |
| dc.rights | Creative Commons Reconocimiento-NoComercial-SinObraDerivada España | es_ES |
| dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ | es_ES |
| dc.source | Revista: MRS Advances, Periodo: 12, Volumen: 1, Número: 1, Página inicial: 1, Página final: 6 | es_ES |
| dc.title | Selective area growth of InxGa1-xAs nanowires on HfO2 templates for highly scaled n-MOS devices | es_ES |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/article | es_ES |
| dc.description.version | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | es_ES |
| dc.rights.holder | es_ES | |
| dc.rights.accessRights | info:eu-repo/semantics/openAccess | es_ES |
| dc.keywords | Selective area growth of InxGa1-xAs nanowires on HfO2 templates for highly scaled n-MOS devices | es-ES |
| dc.keywords | Selective area growth of InxGa1-xAs nanowires on HfO2 templates for highly scaled n-MOS devices | en-GB |
| dc.identifier.doi | 10.1557/adv.2019.96 | es_ES |
| Aparece en las colecciones: | Artículos | |
Ficheros en este ítem:
| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| Selective area growth of InxGa1xAs nanowires on HfO2 templates for highly scaled n.MOS devices (MRS advances).pdf | 1,24 MB | Adobe PDF |  Visualizar/Abrir |
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