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http://hdl.handle.net/11531/37456| Título : | Selective area growth of InxGa1-xAs nanowires on HfO2 templates for highly scaled n-MOS devices |
| Autor : | Benedicto Córdoba, Marcos Tejedor Jorge, Paloma |
| Fecha de publicación : | 1 |
| Resumen : | Selective area growth of InxGa1-xAs nanowires on HfO2 templates for highly scaled n-MOS devices Selective area growth of InxGa1-xAs nanowires on HfO2 templates for highly scaled n-MOS devices |
| Descripción : | Artículos en revistas |
| URI : | http://hdl.handle.net/11531/37456 |
| ISSN : | 2059-8521 |
| Aparece en las colecciones: | Artículos |
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| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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| Selective area growth of InxGa1xAs nanowires on HfO2 templates for highly scaled n.MOS devices (MRS advances).pdf | 1,24 MB | Adobe PDF |  Visualizar/Abrir |
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