Nanoscale selective plasma etching of ultrathin HfO2 layers for advanced complementary metal-oxide-semiconductor devices

Presentamos un proceso de grabado en seco fiable para la fabricación de nanoestructuras profundas en capas ultrafinas (16 nm) de HfO2 depositadas sobre substratos de GaAs.

We present a reliable dry-etch process for patterning deep-submicron structures in utra-thin (16 nm) HfO2 layers deposited on GaAs substrates.

URI

http://hdl.handle.net/11531/12061

Tipo de Actividad

Artículos en revistas

ISSN

0021-4922

Palabras Clave

Nanotecnología, high-k, III-V, ICP-RIE, AFM, litografía, transistores
Nanotechnology, high-k, III-V, ICP-RIE, AFM, lithogaphy, transistors

Colecciones

Artículos