Nanostructuring of ultra-thin HfO2 layers for high-k/III-V device application

Se presenta la nanoestructuración mediante litografía por haz de electrones (EBL) y el grabado por iones reactivos (RIE) con un plasma SF6/Ar+ de películas de HfO2 ultra-delgadas depositadas sobre sustratos de GaAs (001) para su aplicación como óxido de puerta para transistores III-V.-metal-óxido-semiconductor de efecto de campo de última generación (MOSFET).

We report on the nanopatterning by electron beam lithography (EBL) and reactive ion etching (RIE) in a SF6/Ar+ plasma of ultra-thin HfO2 films deposited on GaAs (001) substrates for gate oxide application in next generation III V metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs).

URI

http://hdl.handle.net/11531/12062

Tipo de Actividad

Artículos en revistas

ISSN

1533-4880

Palabras Clave

Nanotecnología, high-k, III-V, EBL, RIE, AFM, SEM, TEM, EDS, MOSFET, transistores
Nanotechnology, high-k, III-V, EBL, RIE, AFM, SEM, TEM, EDS, MOSFET, transistors

Collections

Artículos